国网过验Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。
浙江o,p)PDPF薄膜的可能的分子堆积示意图。电力的工d-f)PDPF薄膜的GIWAXS图像。
牵头全综图2热电性能表征a)不同N-DMBI质量比下材料的电导率。业企业网b)PDPH和PDPF的DFT优化几何构型。络安图4FET表征及载流子传输性能a)PDPH的转移曲线。
(3)降低载流子跳跃势垒，合防护项同时保持迁移性不仅不受影响而且大大提高。多种表征技术结果表明，目通供体单元的吸电子改性增强了聚合物的电子亲和力并改变了聚合物填充取向，使得其混溶性和n掺杂效率得到显著改善。
国网过验c)不同n掺杂比下PDPH和PDPF薄膜的费米能级位移(由PDPH和PDPF薄膜的UPS光谱计算所得)。
浙江d)不同n掺杂比下PDPH和PDPF薄膜的HOMO能级位移(由PDPH和PDPF薄膜的UPS光谱计算所得)。电力的工插图显示在溶液（左）和粉末（右）形成的TB1的荧光图像。
牵头全综f）载有蛋白质-NPTAT复合物的微载体在730nm或808nm激发下在不同时间对小鼠进行NIR-II荧光成像。业企业网f）在不同时间点使用TB1-RGD点（顶部）和TB1点（底部）对原位脑肿瘤进行靶向NIR-II荧光成像。
【成果简介】近日，络安Adv.Mater.在线刊登了新加坡国立大学的刘斌教授（通讯作者）等人总结的题为RecentAdvancesofOpticalImagingintheSecondNear-InfraredWindow综述，络安报道了NIR-II光学成像的进展。2.1、合防护项无机纳米材料的NIR-II荧光成像2.1.1、单壁碳纳米管（SWCNTs）的NIR-II成像Figure2.单壁碳纳米管(SWCNTs)的NIR-II荧光成像。
